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新型PSOI LDMOSFET的结构优化

期刊名字：半导体技术
文件大小：618kb
论文作者：程新红，宋朝瑞，俞跃辉，姜丽娟，许仲德
作者单位：温州大学物理与电子信息学院,中科院上海微系统与信息技术研究所,东北微电子所
更新时间：2020-09-30
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图形化PSOI 横向双扩散MOSFET 击穿电压结构优化